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    品牌: VISHAY
    连续漏极电流: 50A
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3545pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3545pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR818DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR818DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR818DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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