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    连续漏极电流: 50A
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    阈值电压: 2.5V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P03-07_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P03-07_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

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    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50P08-25L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5350pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50P08-25L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5350pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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