品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP55NF06FP
栅极电荷:60nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF
栅极电荷:110nC@10V
导通电阻:18mΩ@43A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:190W
输入电容:2400pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP40NF10
输入电容:2180pF@25V
导通电阻:28mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:28mΩ@31A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP55NF06FP
栅极电荷:60nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
栅极电荷:234nC@10V
类型:N-Channel
输入电容:4057pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:40mΩ@28A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
导通电阻:15mΩ@50A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1440pF@50V
功率:91W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF
栅极电荷:110nC@10V
导通电阻:18mΩ@43A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:190W
输入电容:2400pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP260NPBF
栅极电荷:234nC@10V
类型:N沟道
输入电容:4057pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:40mΩ@28A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
导通电阻:15mΩ@50A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1440pF@50V
功率:91W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP260NPBF
栅极电荷:234nC@10V
类型:N沟道
输入电容:4057pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:40mΩ@28A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:28mΩ@31A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP55NF06FP
栅极电荷:60nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFZ44PBF-BE3
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:28mΩ@31A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP260NPBF
栅极电荷:234nC@10V
类型:N沟道
输入电容:4057pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:40mΩ@28A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFZ40PBF
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:28mΩ@31A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4057pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N-Channel
导通电阻:40mΩ@28A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ40PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ40PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: