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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4616
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4404B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4616
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4404B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4616
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E085BNTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：14.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4616
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4616
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
类型：N-Channel
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
