品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.3V@250μA
输入电容:93pF@15V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V
栅极电荷:1.5nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:164pF@50V
阈值电压:4.5V@50µA
漏源电压:450V
功率:3W
导通电阻:4Ω@600mA,10V
栅极电荷:9.5nC@10V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: