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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD210PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N45K3 起订12个装
    ST Mosfet场效应管 STN3N45K3 起订12个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3N45K3

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:164pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@600mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD210PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N45K3 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STN3N45K3 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3N45K3

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:164pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@600mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订1500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订1500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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