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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY300NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
