采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
输入电容：75pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
输入电容：52.5pF@16V
栅极电荷：0.88nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
输入电容：75pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
输入电容：52.5pF@16V
栅极电荷：0.88nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
