采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
