采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
输入电容：430pF@15V
功率：1.2W
连续漏极电流：3.5A
漏源电压：100V
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
