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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3113PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@16V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3419
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9431A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：110000，"13+"：795000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1343-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XPAR
工作温度：150℃
功率：510mW€4.15W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8672-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
