品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:3.5A
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:375pF@100V
漏源电压:600V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:375pF@100V
漏源电压:600V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: