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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1544
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E035ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
