采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G100N03D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：5.595nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：659pF@50V
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G100N03D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：5.595nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：659pF@50V
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
