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    连续漏极电流: 100A
    栅极电荷: 64nC@10V
    行业应用: 工业
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订595个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订595个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订10个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订10个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订250个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订250个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订2个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订2个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订100个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订100个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订500个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订500个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:3907pF@15V

    栅极电荷:64nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:2.15V@1mA

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订250个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订250个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:250W

    栅极电荷:64nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:100A

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    输入电容:3.4nF@30V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:64nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    输入电容:3980pF@12V

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    功率:97W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订500个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订500个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:250W

    栅极电荷:64nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:100A

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    输入电容:3.4nF@30V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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