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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13626，"23+"：9144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6970，"19+"：13976，"22+"：1000，"23+"：36000，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N08S2L07ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6970，"19+"：13976，"22+"：1000，"23+"：36000，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N08S2L07ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13626，"23+"：9144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：800，"21+"：10，"22+"：850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N06S2L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17085，"16+"：17740，"19+"：16503}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S2L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
