品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5093pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":992}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5093pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R104PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€116W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6230pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R104PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€116W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6230pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":992}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5093pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5093pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: