品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":733,"21+":22358}
销售单位:个
规格型号(MPN):PH1225AL,115
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6380pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":17518}
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2525L,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4470pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16415Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€191W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:47nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.07mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2925U,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:950mV@1mA
栅极电荷:92nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16415Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16415Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: