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    连续漏极电流: 100A
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 306W
    行业应用: 工业
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订288个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订288个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8079pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订226个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订226个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R6-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:212nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12493pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"23+":111}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订285个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订285个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"23+":111}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"23+":111}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R6-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:212nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12493pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8079pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8079pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R6-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:212nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12493pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    输入电容:8400pF@40V

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:125nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    输入电容:8400pF@40V

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:125nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    输入电容:8400pF@40V

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:125nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订800个装
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    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

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