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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1650pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
类型：N沟道
栅极电荷：11nC@4.5V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17573Q5BT
功率：3.2W€195W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：64nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
输入电容：9000pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
栅极电荷：32nC@4.5V
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17573Q5BT
功率：3.2W€195W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：64nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
输入电容：9000pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17573Q5BT
功率：3.2W€195W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：64nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
输入电容：9000pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
类型：N沟道
栅极电荷：17nC@4.5V
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
输入电容：2630pF@15V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
栅极电荷：32nC@4.5V
连续漏极电流：100A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
类型：N沟道
栅极电荷：17nC@4.5V
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
输入电容：2630pF@15V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
栅极电荷：32nC@4.5V
连续漏极电流：100A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5B
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
栅极电荷：68nC@10V
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
类型：N沟道
栅极电荷：17nC@4.5V
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
输入电容：2630pF@15V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1650pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
类型：N沟道
栅极电荷：11nC@4.5V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1650pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
类型：N沟道
栅极电荷：11nC@4.5V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17573Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17573Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17573Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17573Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17573Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17501Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2630pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
