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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3002LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€136W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17559Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40031EL_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40031EL_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R8-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R8-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R8-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订226个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30BL,118 起订226个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R6-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:212nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12493pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YL,115 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YL,115 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:81W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:45.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2822pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订595个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订595个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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