采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3G
功率：214W
阈值电压：3.5V@150μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3G
功率：214W
阈值电压：3.5V@150μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3G
功率：214W
阈值电压：3.5V@150μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：250W
栅极电荷：64nC@10V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：5mΩ@30A，10V
输入电容：3.4nF@30V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：250W
栅极电荷：64nC@10V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：5mΩ@30A，10V
输入电容：3.4nF@30V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
