采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
阈值电压：2.2V@93μA
包装方式：卷带（TR）
功率：167W
类型：1个N沟道
输入电容：13nF@30V
漏源电压：60V
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：79nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.555nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
