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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP075N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：93nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB072N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S4-H2
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：2V
栅极电荷：90nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB072N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB072N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB072N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：117nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
阈值电压：2.2V@93μA
包装方式：卷带（TR）
功率：167W
类型：1个N沟道
输入电容：13nF@30V
漏源电压：60V
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：79nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP075N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：93nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP075N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：93nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB072N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：117nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
