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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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功率：500mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：5.3nC@10V
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输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AS2324
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阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：5.3nC@10V
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输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：117mΩ@1A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：2A
功率：500mW
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：280pF@15V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：117mΩ@1A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：2A
功率：500mW
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：280pF@15V
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库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.2W
连续漏极电流：2A
输入电容：330pF@50V
导通电阻：280mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
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输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
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类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
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