采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N-Channel
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N-Channel
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N-Channel
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
