品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
功率:600mW
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2A
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:2A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:2A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:2A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J375F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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