销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDG330P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:477pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6J12TCR
工作温度:150℃
功率:910mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):807psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG330P
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:477pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
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输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6J12TCR
工作温度:150℃
功率:910mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6J12TCR
工作温度:150℃
功率:910mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
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连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
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输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
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输入电容:770pF@6V
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类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
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品牌:FAIRCHILD
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDG330P
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功率:750mW
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类型:P沟道
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库存: