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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSL020P03FRATR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZR020P01TL 起订27个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZR020P01TL 起订27个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020SPTL 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020SPTL 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5H020SPTL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@2A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF 起订23个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF 起订23个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J356R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订49个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订49个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301P,215 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301P,215 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX2301P,215

    工作温度:150℃

    功率:400mW€2.8W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A 起订6个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A 起订6个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3423A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@4.5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C020TPTL 起订24个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C020TPTL 起订24个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C020TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301P,215 起订37个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301P,215 起订37个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX2301P,215

    工作温度:150℃

    功率:400mW€2.8W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J353F,LF 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J353F,LF 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J353F,LF

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:159pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRQ020P03TCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRQ020P03TCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRQ020P03TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSL020P03FRATR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:3.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订16个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订16个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:514pF@5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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