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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
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输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
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输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
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输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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