采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AD2N60S
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AD2N60S
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AD2N60S
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AD2N60S
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N60
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N60
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AD2N60S
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
类型：1个N沟道
功率：34W
漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1.2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1.2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
类型：1个N沟道
功率：34W
输入电容：300pF@25V
栅极电荷：5.7nC@10V
反向传输电容：2pF@25V
连续漏极电流：2A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
导通电阻：4Ω@10V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
类型：1个N沟道
功率：34W
输入电容：300pF@25V
栅极电荷：5.7nC@10V
反向传输电容：2pF@25V
连续漏极电流：2A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
导通电阻：4Ω@10V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
