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    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:434pF@50V

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:434pF@50V

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3LN80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:2.63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
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