采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2301ALT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：600mV@250μA
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：10pF@15V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2301ALT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：600mV@250μA
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：10pF@15V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@2.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@4.5V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
输入电容：290pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
类型：1个P沟道
功率：450mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：9nC@10V
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
导通电阻：80mΩ@10V，2A
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
