品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ28N60P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:695W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3560pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2714pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2705TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@17A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5140pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1134}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NS
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3249pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: