采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP28P065T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@14A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
导通电阻：115mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：223W
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
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功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP28P065T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@14A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
导通电阻：115mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：223W
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
导通电阻：115mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：223W
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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