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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2705TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2705TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR2705TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@17A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订1058个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订1058个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1134}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30N65DM6AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB30N65DM6AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30N65DM6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":405}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N03D3 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N03D3 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N03D3

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB125A60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB125A60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB125A60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2993pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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