品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
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输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8442-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8442-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
栅极电荷:105nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
功率:310W
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB28N30TM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1800,"22+":800,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1800,"22+":800,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1800,"22+":800,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1800,"22+":800,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH130N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3590pF@380V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: