采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7227-100B，118
工作温度：-55℃~185℃
功率：167W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2789pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2306ENGRT
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@7mA
栅极电荷：16.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2366pF@50V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2306ENGRT
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@7mA
栅极电荷：16.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2366pF@50V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2033
阈值电压：2.5V@9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@75V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，5V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6220
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4525pF@50V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@40V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M12-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2032
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@50V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
