采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN48N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@8mA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44EPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG052N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP052N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP052N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN50N120SK
工作温度：-40℃~175℃
阈值电压：2.8V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1895pF@1000V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP052N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK48N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：830W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8860pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N65DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP052N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
