品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002Q-7-F
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
栅极电荷:0.233nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
输入电容:21.5pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:2.5nC@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:6Ω@170mA,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:6Ω@170mA,10V
功率:200mW
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002Q-7-F
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
栅极电荷:0.233nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2470K4-G
漏源电压:700V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:42Ω@100mA,0V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
类型:N沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS123LT1G
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
阈值电压:2.8V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:100V
功率:225mW
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:05+
规格型号(MPN):BSS123TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
输入电容:20pF@25V
阈值电压:2.8V@1mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
栅极电荷:0.35nC@4.5V
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123K-TP
功率:350mW
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:6Ω@250mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS123LT1G
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
类型:N沟道
输入电容:20pF@25V
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
漏源电压:60V
功率:370mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
导通电阻:6Ω@170mA,10V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123K-TP
功率:350mW
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:6Ω@250mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: