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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：360mW
阈值电压：1.7V@1mA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS123LT1G
功率：225mW
阈值电压：2V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：360mW
阈值电压：1.7V@1mA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123K
功率：350mW
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，250mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324 H6327
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@10V，170mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS123LT1G
功率：225mW
阈值电压：2V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS123LT1G
功率：225mW
阈值电压：2V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：360mW
阈值电压：1.7V@1mA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123K
功率：350mW
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，250mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
输入电容：20pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327
连续漏极电流：170mA
阈值电压：1.8V@50μA
类型：1个N沟道
功率：360mW
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
