采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6433
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：5.8Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：170mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：6Ω@10V，100mA
类型：1个N沟道
阈值电压：2.6V@1mA
漏源电压：100V
功率：225mW
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：8Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
