采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4491EDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€6.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
