品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
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