品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100μA
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100μA
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100μA
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
功率:290mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:1.2A
漏源电压:20V
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@25μA
栅极电荷:670pC@4.5V
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:480mΩ@10V,1.2A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100μA
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100μA
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@25μA
栅极电荷:670pC@4.5V
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:480mΩ@10V,1.2A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@4.5V,930mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
功率:290mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:1.2A
漏源电压:20V
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: