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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
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连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN3205N3-G
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功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
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连续漏极电流：1.2A
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：300mΩ@3A，10V
功率：1W
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导通电阻：300mΩ@3A，10V
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阈值电压：2.4V@10mA
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
功率：740mW
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导通电阻：350mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
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漏源电压：50V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@10mA
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输入电容：500pF@25V
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：袋
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