采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
功率：290mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：38pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：1.2A
漏源电压：20V
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
栅极电荷：700pC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：670pC@4.5V
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：480mΩ@10V，1.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€5.68W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：116pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：447mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：670pC@4.5V
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：480mΩ@10V，1.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€5.68W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：116pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：447mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2402TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：700mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@4.5V，930mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
功率：290mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：38pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：1.2A
漏源电压：20V
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
栅极电荷：700pC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2327
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4nC@4.5V
连续漏极电流：1.2A
输入电容：365pF@10V
阈值电压：950mV@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
功率：335mW€2.17W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
