采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：246714，"09+"：1277，"10+"：20000，"11+"：37500，"14+"：2934，"17+"：5000，"18+"：2219，"23+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4.9V@100µA
包装方式：管件
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@5.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13UPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@6V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：246714，"09+"：1277，"10+"：20000，"11+"：37500，"14+"：2934，"17+"：5000，"18+"：2219，"23+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3994，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD4C26NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.63W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：9.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@5.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4.9V@100µA
包装方式：管件
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@5.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
