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品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：360mW
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：360mW
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：360mW
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：360mW
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：3.5Ω@10V，0.22A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：800mV
输入电容：9.5pF
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.3pF
导通电阻：4Ω@4.5V，0.2A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：800mV
输入电容：9.5pF
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.3pF
导通电阻：4Ω@4.5V，0.2A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138A
功率：350mW
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4.5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：3.5Ω@10V，0.22A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：3.5Ω@10V，0.22A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：800mV
输入电容：9.5pF
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.3pF
导通电阻：4Ω@4.5V，0.2A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：800mV
输入电容：9.5pF
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.3pF
导通电阻：4Ω@4.5V，0.2A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138A
功率：350mW
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4.5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002FLT1G
功率：225mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002FLT1G
功率：225mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4.5V，400mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4.5V，400mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
