品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UDJ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.05V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:散装
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: